是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.B.1 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.86 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.33 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W27E020-70 | WINBOND |
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256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E020-90 | WINBOND |
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256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E020P-12 | WINBOND |
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256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E020P-70 | WINBOND |
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256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E020P-90 | WINBOND |
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256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E02-70 | WINBOND |
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EEPROM, 256KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
W27E02-90 | WINBOND |
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EEPROM, 256KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
W27E02P-70 | WINBOND |
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EEPROM, 256KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
W27E02Q-70 | WINBOND |
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EEPROM, 256KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, STSOP-32 | |
W27E02Q-90 | WINBOND |
获取价格 |
EEPROM, 256KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, STSOP-32 |