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W27E01P-90

更新时间: 2024-09-19 21:18:03
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华邦 - WINBOND 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 248K
描述
EEPROM, 128KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

W27E01P-90 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:90 ns命令用户界面:NO
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PQCC-J32
长度:13.97 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.56 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
切换位:NO宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

W27E01P-90 数据手册

 浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W27E01P-90的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary W27E01  
´ 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM  
128K  
1. GENERAL DESCRIPTION  
The W27E01 is a high speed, low power consumption Electrically Erasable and Programmable Read  
Only Memory organized as 131,072 ´ 8 bits. It requires only one supply in the range of 5.0V ±10% in  
normal read mode. The W27E01 provides an electrical chip erase function.  
2. FEATURES  
· Single power supply voltage:  
5.0V ±10%  
· +12V erase/programming voltage  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs directly TTL/CMOS  
· High speed access time:  
compatible  
70/90 nS (max.)  
· Three-state outputs  
· Read operating current: 30 mA (max.)  
· Erase/Programming operating current:  
· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 32-lead  
30 mA (max.)  
PLCC and 32-lead STSOP  
· Standby current: 20 mA (max.)  
3. PIN CONFIGURATIONS  
4. BLOCK DIAGRAM  
V
DD  
Vss  
V
PP  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
Vpp  
A16  
A15  
A12  
A7  
1
V
DD  
Q0  
.
.
#PGM  
#CE  
#
2
#PGM  
NC  
A
1
6
OUTPUT  
BUFFER  
A
1
2
A
1
5
V
p
p
V
D
D
P
G
M
CONTROL  
DECODER  
N
C
3
Q7  
#OE  
4
A14  
A13  
A8  
5
3
2
3
1
4
3
2
1
3
0
6
A6  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
Q0  
7
A5  
A9  
32-pin  
PDIP  
8
A11  
A4  
A0  
.
A9  
32-lead PLCC  
9
A3  
A11  
#OE  
A10  
#CE  
Q7  
#OE  
A10  
CORE  
ARRAY  
10  
11  
12  
13  
14  
A2  
.
A1  
#CE  
Q7  
1
8
1
9
2
0
1
7
1
4
1
5
1
6
A0  
A16  
Q0  
Q6  
Q5  
Q
1
Q
2
V
s
s
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q1  
Q2  
18  
17  
15  
16  
Q4  
Q3  
Vss  
5. PIN DESCRIPTION  
SYMBOL  
A0 - A16  
Q0 - Q7  
#CE  
#OE  
#PGM  
VPP  
DESCRIPTION  
Address Inputs  
A11  
A9  
1
2
3
32  
#OE  
A10  
#CE  
Q7  
Q6  
Q5  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A8  
A13  
4
5
A14  
NC  
6
7
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable  
Output Enable  
Program Enable  
Program/Erase Supply Voltage  
Power Supply  
#PGM  
Q4  
Q3  
V
DD  
V
PP  
8
32-lead STSOP  
V
9
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
SS  
10  
Q2  
Q1  
Q0  
A0  
A1  
A2  
A3  
A16  
A15  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
VDD  
Vss  
Ground  
NC  
No Connection  
Publication Release Date: May 30, 2002  
Revision A1  
- 1 -  

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