是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.B.2 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 45 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 11.43 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W27E010P-55 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010P-70 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010P-90 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010S-12 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010S-45 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010S-55 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010S-70 | WINBOND |
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x8 EEPROM | |
W27E010S-90 | WINBOND |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
W27E01P-70 | WINBOND |
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EEPROM, 128KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
W27E01P-90 | WINBOND |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |