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W25X40BVSSIG

更新时间: 2024-09-20 08:08:23
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
51页 1636K
描述
1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI

W25X40BVSSIG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOIC-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):80 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:S-PDSO-G8
长度:5.28 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.16 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:5.28 mm写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

W25X40BVSSIG 数据手册

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W25X10BV/20BV/40BV  
1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI  
Publication Release Date: August 20,, 2009  
Preliminary -- Revision B  
- 1-  

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