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W25X40BLDAIG

更新时间： 2024-11-08 08:08:23

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华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
55页	695K
描述
2.5V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI

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W25X40BLDAIG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	ORGANIZED AS 2048 PAGES OF 256 BYTES, ALSO OPERATES WITH 2.3-3.6V SUPPLY AT 50 MHZ	最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	长度：	9.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	2.5/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.45 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	7.62 mm
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

W25X40BL

2.5V 4M-BIT

SERIAL FLASH MEMORY WITH

4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI

Publication Release Date: April 21, 2011

Preliminary - Revision B

- 1-

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W25X40BLSNIG	WINBOND	获取价格	2.5V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
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W25X40BVZPIG	WINBOND	获取价格	1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI