5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.300 INCH, GREEN, SOIC-16 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 80 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| 长度： | 10.31 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP16,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.64 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.018 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7.49 mm | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25Q32BVSFAP | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSFIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSFIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSSAG | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSSAP | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSSIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSSIGT | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 32MX1, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
|
| W25Q32BVSSIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q32BVSTIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
