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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 80 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| 长度： | 9.27 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.33 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.018 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7.62 mm | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25Q32BVDAIG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVDAIP | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSFAG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSFAP | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSFIG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSFIP | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSIG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSSAG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSSAP | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q32BVSSIG | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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