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W25Q32BVDAAG

更新时间: 2024-09-20 08:09:03
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
79页 978K
描述
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q32BVDAAG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):80 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
长度:9.27 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.33 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.018 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:7.62 mm写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

W25Q32BVDAAG 数据手册

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W25Q32BV  
3V 32M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: April 01, 2011  
Revision F  
- 1 -  

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