是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | VSOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz |
数据保留时间-最小值: | 20 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VSOP | 封装等效代码: | TSOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL | 电源: | 1.8 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.9 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.0000075 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 3.9 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25Q20EWUXIG | WINBOND |
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Flash Memory, | |
W25Q256FVBIF | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVBIF TR | ETC |
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IC FLASH 256M SPI 24TFBGA | |
W25Q256FVBIF-TR | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVBIG | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVCIF | WINBOND |
获取价格 |
3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVCIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVCIG TR | ETC |
获取价格 |
IC FLASH 256M SPI 24TFBGA | |
W25Q256FVCJQ | ETC |
获取价格 |
IC FLASH MEMORY 256MB | |
W25Q256FVEIF | WINBOND |
获取价格 |
3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |