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W25Q20EWSVIG

更新时间: 2024-09-20 19:55:27
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 2939K
描述
Flash, 2MX1, PDSO8, VSOP-8

W25Q20EWSVIG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:VSOP-8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.9 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:8字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSOP封装等效代码:TSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL电源:1.8 V
编程电压:1.8 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.9 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.0000075 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q20EWSVIG 数据手册

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W25Q20EW  
1.8V  
2M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
4KB SECTORS, DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: January 16, 2017  
-Revision G  
- 1 -  

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