5秒后页面跳转
W25Q20EWSN1G PDF预览

W25Q20EWSN1G

更新时间: 2024-09-20 19:38:51
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 1828K
描述
Flash, 256KX8, PDSO8

W25Q20EWSN1G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
端子数量:8字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.0000075 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q20EWSN1G 数据手册

 浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W25Q20EWSN1G的Datasheet PDF文件第7页 
W25Q20EW  
1.8V  
2M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
4KB SECTORS, DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: July 28, 2015  
-Revision D  
- 1 -  

与W25Q20EWSN1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W25Q20EWSNIG WINBOND

获取价格

Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8
W25Q20EWSV1G WINBOND

获取价格

Flash, 256KX8, PDSO8
W25Q20EWSVIG WINBOND

获取价格

Flash, 2MX1, PDSO8, VSOP-8
W25Q20EWUXIG WINBOND

获取价格

Flash Memory,
W25Q256FVBIF WINBOND

获取价格

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q256FVBIF TR ETC

获取价格

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
W25Q256FVBIF-TR WINBOND

获取价格

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q256FVBIG WINBOND

获取价格

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q256FVCIF WINBOND

获取价格

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q256FVCIG WINBOND

获取价格

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI