是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SON | 包装说明: | 6 X 5 MM, GREEN, WSON-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz |
数据保留时间-最小值: | 20 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 | 长度: | 6 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVSON | 封装等效代码: | SOLCC8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL | 电源: | 2.5/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 5 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25Q20EWSN1G | WINBOND |
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Flash, 256KX8, PDSO8 | |
W25Q20EWSNIG | WINBOND |
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Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | |
W25Q20EWSV1G | WINBOND |
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Flash, 256KX8, PDSO8 | |
W25Q20EWSVIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 2MX1, PDSO8, VSOP-8 | |
W25Q20EWUXIG | WINBOND |
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Flash Memory, | |
W25Q256FVBIF | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVBIF TR | ETC |
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IC FLASH 256M SPI 24TFBGA | |
W25Q256FVBIF-TR | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVBIG | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q256FVCIF | WINBOND |
获取价格 |
3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |