是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SON | 包装说明: | HVSON, SOLCC8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 80 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
长度: | 6 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 1.8 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 0.8 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 5 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25Q20BWZPIP | WINBOND |
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1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI | |
W25Q20CLSNIG | WINBOND |
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Flash, 2MX1, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, SOIC-8 | |
W25Q20CLUXIG | WINBOND |
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Flash, 2MX1, PDSO8, 2 X 3 MM, GREEN, USON-8 | |
W25Q20CLZPIG | WINBOND |
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Flash, 2MX1, PDSO8, 6 X 5 MM, GREEN, WSON-8 | |
W25Q20EWSN1G | WINBOND |
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Flash, 256KX8, PDSO8 | |
W25Q20EWSNIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | |
W25Q20EWSV1G | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 256KX8, PDSO8 | |
W25Q20EWSVIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 2MX1, PDSO8, VSOP-8 | |
W25Q20EWUXIG | WINBOND |
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Flash Memory, | |
W25Q256FVBIF | WINBOND |
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3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |