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W25Q16JVSSIQ

更新时间: 2024-09-21 02:46:39
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
75页 2875K
描述
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI

W25Q16JVSSIQ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:1.78Samacsys Description:NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC Tube
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzJESD-30 代码:S-PDSO-G8
长度:5.23 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V座面最大高度:2.16 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:5.23 mm

W25Q16JVSSIQ 数据手册

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W25Q16JV  
3V 16M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL/QUAD SPI  
Publication Release Date: March 22, 2018, 2018  
Revision G  

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