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W25Q16JVSNJM

更新时间: 2024-11-11 02:45:59
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
75页 2875K
描述
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI

W25Q16JVSNJM 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.46备用内存宽度:1
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.85 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL编程电压:3 V
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

W25Q16JVSNJM 数据手册

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W25Q16JV  
3V 16M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL/QUAD SPI  
Publication Release Date: March 22, 2018, 2018  
Revision G  

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