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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 104 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | 长度： | 9.27 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 7.62 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25Q16DVDAIG-TR | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q16DVDAIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q16DVDAIQ | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q16DVSFIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSFIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSFIQ | WINBOND |
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3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSNIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSNIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSSIG | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16DVSSIP | WINBOND |
获取价格 |
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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