是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | MO-108, QFP-100 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 6 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.7X.9 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.32 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25P010AF-7 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 | |
W25P010AF-8 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 | |
W25P012AD-6 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100 | |
W25P012AD-7 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100 | |
W25P012AD-8 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100 | |
W25P012AF-6 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 | |
W25P012AF-7 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 | |
W25P012AF-8 | WINBOND |
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Standard SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 | |
W25P020AD-7 | WINBOND |
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Standard SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100 | |
W25P020AF-6 | WINBOND |
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Standard SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100 |