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W25P010AF-6

更新时间: 2024-11-15 20:21:19
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 676K
描述
Standard SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100

W25P010AF-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:MO-108, QFP-100
针数:100Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:6 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.32 mm最大待机电流:0.001 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

W25P010AF-6 数据手册

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