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W19B160BTTAM

更新时间： 2024-11-24 13:15:35

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存
页数	文件大小	规格书
48页	534K
描述
Flash, 1MX16, 10ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48

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W19B160BTTAM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	10 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

W19B160BTTAM 数据手册

W19B160BT/B DATA SHEET

-Table of Contents-

GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 4

FEATURES................................................................................................................................. 4

PIN CONFIGURATIONS ............................................................................................................ 6

BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 7

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 8

FUNCTIONAL DESCRIPTION ................................................................................................... 9

6.1

DEVICE BUS OPERATION............................................................................................ 9

6.1.1 Word/Byte Configuration...................................................................................................9

6.1.2 Reading Array Data..........................................................................................................9

6.1.3 Writing Commands/Command Sequences.......................................................................9

6.1.4 Program and Erase Operation Status...............................................................................9

6.1.5 Standby Mode ..................................................................................................................9

6.1.6 Automatic Sleep Mode ...................................................................................................10

6.1.7 #RESET: Hardware Reset Pin........................................................................................10

6.1.8 Output Disable Mode......................................................................................................10

6.1.9 Auto-select Mode............................................................................................................10

6.1.10 Sector Protection and Un-protection.............................................................................11

6.1.11 Temporary Sector Unprotect ........................................................................................11

6.1.12 Hardware Data Protection ............................................................................................11

6.1.13 Write Pulse “Glitch” Protection......................................................................................11

6.1.14 Logical Inhibit................................................................................................................11

6.1.15 Power-Up Write Inhibit..................................................................................................11

6.2

COMMAND DEFINITIONS........................................................................................... 12

6.2.1 Reading Array Data........................................................................................................12

6.2.2 Reset Command.............................................................................................................12

6.2.3 Auto-select Command Sequence...................................................................................12

6.2.4 Byte/Word Program Command Sequence......................................................................13

6.2.5 Chip Erase Command Sequence ...................................................................................13

6.2.6 Sector Erase Command Sequence ................................................................................13

6.2.7 Erase Suspend /Erase Resume Commands ..................................................................14

6.2.8 Unlock Bypass Command Sequence .............................................................................14

6.3

WRITE OPERATION STATUS..................................................................................... 15

6.3.1 DQ7: #Data Polling.........................................................................................................15

6.3.2 RY/#BY: Ready/#Busy....................................................................................................15

Publication Release Date:Jan.04, 2008

- 1 -

Revision A5

12 3 4 5 6 7...48

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与W19B160BTTAM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W19B160BTTBM	WINBOND	获取价格	Flash, 1MX16, 11ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48
W19B160TB7H7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB7M7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB8H7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB8M7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB9H7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB9M7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TBAH7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TBAM7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TBBH7H	WINBOND	获取价格	16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory

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