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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 137K |  |
| 描述 | ||
| 三相桥半控和全控系列提供各种封装和高达2200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | 3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 快速连接描述： | 3G |
| 螺丝端子的描述： | 3AK-CA-CK | 最大维持电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X8 | 最大漏电流： | 5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 1500 A | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 8 | 最大通态电流： | 167000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 89 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 300 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VVZ175-14IO7 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK |
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| VVZ175-16IO7 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK |
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| VVZ175-16IO7 | LITTELFUSE |
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三相桥半控和全控系列提供各种封装和高达2200V的击穿电压。 |
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| VVZ24 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
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| VVZ24-12GO1 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 24000mA I(T), 1200V V(RRM), 3 Element |
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| VVZ24-12IO1 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
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| VVZ24-14GO1 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 24000mA I(T), 1400V V(RRM), 3 Element |
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| VVZ24-14IO1 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
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| VVZ24-16GO1 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 24000mA I(T), 1600V V(RRM), 3 Element |
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| VVZ24-16IO1 | IXYS |
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Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
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