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VUO36-12NO7

更新时间: 2024-11-05 20:58:15
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IXYS 二极管
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1页 57K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1200V V(RRM), Silicon,

VUO36-12NO7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:S-PUPF-D5
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJESD-30 代码:S-PUPF-D5
最大非重复峰值正向电流:550 A元件数量:6
相数:3端子数量:5
最高工作温度:150 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VUO36-12NO7 数据手册

  

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