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VUB60-12NO1

更新时间： 2024-11-04 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 三相整流桥二极管快恢复二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System

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VUB60-12NO1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：31 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-PUFM-X8JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：220 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
Base Number Matches：1

VUB60-12NO1 数据手册

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VUB 60  
VRRM = 1200-1600 V  
IdAVM = 70 A  
Three Phase Rectifier Bridge  
with IGBT and Fast Recovery Diode  
for Braking System  
5
4
2
1
VRRM  
Type  
V
1200  
1600  
VUB 60-12 NO1  
VUB 60-16 NO1  
10  
9
7
6
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VRRM  
IdAV  
IdAVM  
1200 / 1600  
V
A
A
Features  
TH = 110°C, sinusoidal 120°  
limited by leads  
59  
70  
●
Soldering connections for PCB  
mounting  
●
●
●
●
●
Isolation voltage 3600 V~  
Ultrafast freewheel diode  
Convenient package outline  
UL registered E 72873  
Thermistor  
IFSM  
I2t  
TVJ = 45°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
TVJ = 150°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
530  
475  
A
A
TVJ = 45°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
TVJ = 150°C,t = 10 ms, VR = 0V  
1400  
1130  
A
A
Ptot  
-
TH = 80°C per diode  
49  
W
Applications  
VCES  
VGE  
TVJ = 25°C to 150°C  
Continuous  
1200  
± 20  
V
V
●
Drive Inverters with brake system  
IC25  
IC70  
IC80  
TH = 25°C, DC  
TH = 70°C, DC  
TH = 80°C, DC  
31  
23  
21  
A
A
A
Advantages  
●
2 functions in one package  
No external isolation  
Easy to mount with two screws  
Suitable for wave soldering  
●
ICM  
tp = Pulse width limited by TVJM  
62  
70  
A
●
●
Ptot  
TH = 80°C  
W
●
High temperature and power cycling  
capability  
VRRM  
IFAV  
IFRMS  
IFRM  
1200  
8
V
A
A
A
TH = 80°C, rectangular d = 0.5  
TH = 80°C, rectangular d = 0.5  
TH = 80°C, tP = 10 µs, f = 5 kHz  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
12  
90  
IFSM  
TVJ = 45°C, t = 10 ms  
TVJ = 150°C,t = 10 ms  
75  
60  
A
A
Ptot  
TH = 80°C  
22  
W
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
Md  
Mounting torque  
typ.  
(M5)  
(10-32 unf)  
2-2.5  
18-22  
35  
Nm  
lb.in.  
g
Weight  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VUB60-16IO1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
VUB60-16NO1 IXYS

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VUB71 IXYS

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VUB71-12NO1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
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VUB72-16NOXT IXYS

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