是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | X-XUPM-D4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.8 |
其他特性: | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 最小击穿电压: | 250 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.5 V | JESD-30 代码: | X-XUPM-D4 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 250 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 25 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VT-200-F | ETC |
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Quartz Crystal Units for Watches | |
VT2045BP | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection | |
VT2045BP-M3/4W | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection | |
VT2045C | VISHAY |
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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VT2045C_11 | VISHAY |
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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VT2045CBP | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection | |
VT2045CBP_12 | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VT2045CBP-M3/4W | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN | |
VT2045CBP-M3-4W | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection | |
VT2045CHM3 | VISHAY |
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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |