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VT1200

更新时间： 2024-10-14 03:18:59

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描述
HIGH VOLTAGE 50 mA SILICON RECTIFIERS

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VT1200 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.75
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	28 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	12000 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

VT1200 数据手册

VT RVT

HIGH VOLTAGE 50 mA

SILICON RECTIFIERS

SMALL SIZE MOLDED PACKAGE

PRV 10,000 TO 15,000 VOLTS

FAST RECOVERY (R_SERIES)

AVALANCHE CHARACTERISTICS

LOW LEAKAGE

EDI

PRV

REVERSE RECOVERY TIME

(Fig.4)

Type

Volts

VT1000

VT1200

10,000

12,000

15,000

10,000

12,000

15,000

VT1500

RVT1000

RVT1200

RVT1500

100 ns max.

=25 C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T_A

Unless Otherwise Specified)

C, I_O

Average Rectified Forward Current @ 50

50 mA

5 Amp

(8.3ms)

Max. Peak Surge Current, I

FSM

Max.ForwardVoltageDrop@50mA, V

28Volts

Max. DC Reverse Current @ PRV and 25 C, I

Max. DC Reverse Current @ PRV and100 C, I

-55 to + 125 C

Ambient Operating Temperature Range, T

-55 to + 150 C

Storage Temperature Range, T

STG

NOTES:

1.It is recommended that a proper heat sink be used on the terminals of this device between the body and

soldering point to prevent damage from excess heat.

2.If operated over 10,000v/inch in length, devices should be immersed in oil or re - encapsulated.

EDI reservesthe rightto changethese specificationsat any time withoutnotice.

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