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VSSA310S-M3/61T

更新时间： 2024-11-28 21:13:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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VSSA310S-M3/61T 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	0.97
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VSSA310S-M3/61T 数据手册

VSSA310S

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES

• Low profile package

TMBS^®

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-214AC (SMA)

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

3.0 A

100 V

60 A

V_RRM

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

I_FSM

E_AS

24 mJ

0.62 V

150 °C

V_Fat I_F= 3.0 A

T_Jmax.

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VSSA310S

V3B

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

100

(1)

I_F

3.0

1.7

Maximum DC forward current

(2)

I_F

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

E_AS

Non-repetitive avalanche energy

at T_J= 25 °C, L = 60 mH

Peak repetitive reverse current at t_p= 2 μs, 1 kHz,

T_J= 38 °C 2 °C

I_RRM

1.0

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 40 to + 150

°C

Notes

(1)

Mounted on 10 mm x 10 mm pad areas, 1 oz. FR4 P.C.B.

Free air, mounted on recommended copper pad area

(2)

Revision: 27-Mar-12

Document Number: 89138

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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