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VSKH230-08 PDF预览

VSKH230-08

更新时间： 2024-09-19 20:43:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 341K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, MAGN-A-PAK-5

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VSKH230-08 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.23外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：4 V快速连接描述：G-GR
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：500 mA
JESD-30 代码：R-PUFM-X5最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：7850 A元件数量：2
端子数量：5最大通态电流：230000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：510 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VSKH230-08 数据手册

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VSK.230..PbF Series  
Vishay Semiconductors  
SCR/SCR and SCR/Diode  
(MAGN-A-PAK Power Modules), 230 A  
FEATURES  
• High voltage  
• Electrically isolated base plate  
• 3500 VRMS isolating voltage  
• Industrial standard package  
• Simplified mechanical designs, rapid assembly  
• High surge capability  
• Large creepage distances  
• UL approved file E78996  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
MAGN-A-PAK  
DESCRIPTION  
This new VSK series of MAGN-A-PAK modules uses high  
voltage power thyristor/thyristor and thyristor/diode in  
seven basic configurations. The semiconductors are  
electrically isolated from the metal base, allowing common  
heatsinks and compact assemblies to be built. They can be  
interconnected to form single phase or three phase bridges  
or as AC-switches when modules are connected in  
anti-parallel mode. These modules are intended for general  
purpose applications such as battery chargers, welders,  
motor drives, UPS, etc.  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
230 A  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
230  
UNITS  
IT(AV)  
85 °C  
IT(RMS)  
510  
A
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
7500  
ITSM  
7850  
280  
I2t  
kA2s  
260  
I2√t  
280  
kA2√s  
V
V
DRM/VRRM  
Up to 2000  
- 40 to 130  
TJ  
Range  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM/VDRM, MAXIMUM REPETITIVE  
PEAK REVERSE AND OFF-STATE  
VRSM, MAXIMUM  
NON-REPETITIVE PEAK  
IRRM/IDRM  
AT 130 °C  
VOLTAGE  
CODE  
TYPE NUMBER  
BLOCKING VOLTAGE  
V
REVERSE VOLTAGE  
V
MAXIMUM  
mA  
08  
12  
16  
18  
20  
800  
900  
1200  
1600  
1800  
2000  
1300  
1700  
1900  
2100  
VSK.230-  
50  
Document Number: 93053  
Revision: 02-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VSKH230-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VSKH230-08PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
VSKH230-12 VISHAY

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 		暂无描述
VSKH230-12PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E
VSKH230-16 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
VSKH230-16PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
VSKH230-18 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
VSKH230-18PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
VSKH230-20 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2 E
VSKH230-20PBF VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2 E
VSKH250-04PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Ele

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