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VSK835

更新时间: 2024-09-18 21:02:55
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美高森美 - MICROSEMI 非常快速的恢复二极管快速恢复二极管
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2页 47K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

VSK835 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:VERY FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:35 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VSK835 数据手册

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