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VSC7129RQM

更新时间： 2024-01-11 20:32:51

品牌	Logo	应用领域
VITESSE		电信电信集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
Telecom Circuit, 1-Func, GAAS, PQFP44, 10 X 10 MM, PLASTIC, QFP-44

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技术参数
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VSC7129RQM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP, QFP48,.5SQ,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.82	JESD-30 代码：	S-PQFP-G44
长度：	10 mm	功能数量：	1
端子数量：	44	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP48,.5SQ,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.45 mm
子类别：	Other Telecom ICs	最大压摆率：	0.26 mA
标称供电电压：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	电信集成电路类型：	TELECOM CIRCUIT
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

VSC7129RQM 数据手册

BAS19, BAS20, BAS21

Small Signal Diodes

FEATURES

SOT-23

♦ Silicon Planar Epitaxial High-Speed

.122 (3.1)

.118 (3.0)

Diodes

.016 (0.4)

Top View

♦

For switching and general purpose

applications.

♦

These diodes are also available in other case styles includ-

ing: the SOD-123 case with the type designation BAV19W -

BAV21W, the MiniMELF case with the type designation

BAV101 - BAV103, and the DO-35 case with the type desig-

nation BAV19 - BAV21.

.037(0.95) .037(0.95)

MECHANICAL DATA

.102 (2.6)

.094 (2.4)

.016 (0.4) .016 (0.4)

Case: SOT-23 Plastic Package

Weight: approx. 0.008 g

Dimensions in inches and (millimeters)

Marking

BAS19 = A8

BAS20 = A81

Top View

BAS21 = A82

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified

25 °C

Symbol

Value

Unit

Continuous Reverse Voltage

BAS19

BAS20

BAS21

100

150

200

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Forward Current

BAS19

BAS20

BAS21

120

200

250

RRM

at t = 1 s

2.5

0.5

FSM

at t = 1 s

Average Rectified Forward Current

(averaged over any 20 ms period)

200¹⁾

F(AV)

Forward DC Current at T

= 25 °C

200²⁾

°C

amb

Repetitive Peak Forward Current

Power Dissipation up to T = 25 °C

625

FRM

200²⁾

amb

tot

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

– 65 to +150

°C

≤

Measured under pulse conditions; Pulse time = tp 0.3 ms.

²⁾Device on fiberglass substrate, see layout.

4/98

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