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VSB10P180C

更新时间: 2024-01-22 17:20:49
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PROTEC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 249K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 27200W, Bidirectional, 8 Element, Silicon

VSB10P180C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-T10
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最小击穿电压:200 V最大钳位电压:283 V
配置:COMMON BIPOLAR TERMINAL, 8 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-T10
最大非重复峰值反向功率耗散:27200 W元件数量:8
端子数量:10最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

VSB10P180C 数据手册

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