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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS23525000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS23526000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS2352C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS23S010 | ETC |
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VLSI |
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| VS-240NQ045PBF | VISHAY |
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OUTPUT & SW MODULES - HALF-PAK |
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| VS-240U | VISHAY |
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Standard Recovery Diodes (Stud Version), 320 A |
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| VS-240U80D | VISHAY |
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Standard Recovery Diodes (Stud Version), 320 A |
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| VS-240UR100D | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 320A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| VS-240UR120D | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 320A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| VS-240UR80D | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 320A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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