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VS-VSKD270-12PBF

更新时间： 2024-02-10 17:48:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
13页 284K
描述
DIODE GEN 1.2KV 135A MAGNAPAK

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VS-VSKD270-12PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.84二极管类型：RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

VS-VSKD270-12PBF 数据手册

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VS-VSK.250PbF, VS-VSK.270PbF, VS-VSK.320PbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Standard Recovery Diodes  
(MAGN-A-PAK Power Modules), 250 A to 320 A  
FEATURES  
• High voltage  
• Electrically isolated base plate  
• 3000 VRMS isolating voltage  
• Industrial standard package  
• Simplified mechanical designs, rapid assembly  
• High surge capability  
• Large creepage distances  
• UL approved file E78996  
• Designed and qualified for industrial level  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
MAGN-A-PAK  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
This VS-VSK series of MAGN-A-PAKs uses high voltage  
power diodes in two basic configurations. The  
semiconductors are electrically isolated from the metal  
base, allowing common heatsinks and compact assemblies  
to be built. They can be interconnected to form single phase  
or three phase bridges and the single diode module can be  
used in conjunction with the thyristor modules as a  
freewheel diode.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
250 A to 320 A  
Type  
Modules - diode, high voltage  
MAGN-A-PAK  
Package  
Circuit  
configuration  
Two diodes doubler circuit,  
two diodes common cathode, single diode  
These modules are intended for general purpose  
applications such as battery chargers, welders and plating  
equipment and where high voltage and high current are  
required (motor drives, etc.)  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VSK.250..  
VSK.270..  
270  
VSK.320..  
320  
UNITS  
A
250  
IF(AV)  
TC  
100  
100  
100  
°C  
IF(RMS)  
IFSM  
393  
424  
502  
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
7015  
8920  
10 110  
10 580  
511  
A
7345  
9430  
246  
398  
I2t  
kA2s  
225  
363  
466  
I2t  
VRRM  
TJ  
2460  
3980  
5110  
kA2s  
V
400 to 2000  
400 to 3000  
-40 to +150  
400 to 2000  
°C  
Revision: 03-Apr-2019  
Document Number: 93581  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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