5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | HIGH VOLTAGE HIGH POWER | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.66 V | JEDEC-95代码： | DO-200AB |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 14240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1180 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 2400 V | 最大反向电流： | 50000 µA |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS-SD800C30L | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1180A, 3000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| VS-SD800C36L | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GP 3.6KV 1180A DO200AB |
|
| VS-SD800C40L | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 4KV 1065A DO200AB |
|
| VS-SD800C45L | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1065A, 4500V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| VS-SD803C10S10C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| VS-SD803C12S15C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| VS-SD803C14S15C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1400V V(RRM), Silicon, |
|
| VS-SD823C12S20C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 810A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| VS-SD823C16S20C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 810A, 1600V V(RRM), Silicon, |
|
| VS-SD823C16S30C | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 910A, 1600V V(RRM), Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
