是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE |
应用: | HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.85 V | JEDEC-95代码: | DO-200AB |
JESD-30 代码: | O-CEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流: | 10050 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 790 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 2000 V | 最大反向电流: | 50000 µA |
最大反向恢复时间: | 3 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VS-SD703C25S20L | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 700A, 2500V V(RRM), Silicon, DO-200AB, | |
VS-SD703C25S30L | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 790A, 2500V V(RRM), Silicon, DO-200AB, | |
VS-SD800C24L | VISHAY |
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DIODE GP 2.4KV 1180A DO200AB | |
VS-SD800C30L | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1180A, 3000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, | |
VS-SD800C36L | VISHAY |
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DIODE GP 3.6KV 1180A DO200AB | |
VS-SD800C40L | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 4KV 1065A DO200AB | |
VS-SD800C45L | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1065A, 4500V V(RRM), Silicon, DO-200AB, | |
VS-SD803C10S10C | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1000V V(RRM), Silicon, | |
VS-SD803C12S15C | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1200V V(RRM), Silicon, | |
VS-SD803C14S15C | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 845A, 1400V V(RRM), Silicon, |