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VS-8ETH03-1HM3

更新时间： 2024-11-02 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 209K
描述
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?

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VS-8ETH03-1HM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.82
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPER FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：245参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向电流：20 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30

VS-8ETH03-1HM3 数据手册

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VS-8ETH03SHM3, VS-8ETH03-1HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• 175 °C operating junction temperature  
D2PAK (TO-263AB)  
TO-262AA  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C  
Base  
cathode  
• AEC-Q101 qualified  
2
2
• Meets JESD 201 class 1 whisker test  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
3
1
3
1
Vishay Semiconductors 300 V series are the state of the art  
hyperfast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop and hyperfast  
recovery time.  
N/C  
Anode  
N/C  
Anode  
VS-8ETH03-1HM3  
VS-8ETH03SHM3  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
8 A  
VR  
300 V  
0.83 V  
35 ns  
175 °C  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, DC/DC converters as well as  
freewheeling diodes in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
VF at IF  
trr  
TJ max.  
Package  
D2PAK (TO-263AB), TO-262AA  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
Circuit configuration  
Single  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
300  
V
IF(AV)  
TC = 155 °C  
TC = 25 °C  
8
A
IFSM  
100  
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
300  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.0  
0.83  
0.02  
6.0  
31  
1.25  
1.00  
20  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 300 V  
200  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8
-
Revision: 12-Jun-2023  
Document Number: 96124  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-8ETH03-1HM3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8ETH03-1-M3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?
VS-8ETH03-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE AND
VS-8ETH03-1TRLPBF VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
VS-8ETH03-1TRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode,
VS-8ETH03-M3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?
VS-8ETH03-N3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
VS-8ETH06-1HM3 VISHAY

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