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VS-65EPS..L-M3

更新时间： 2023-12-06 20:03:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
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7页 211K
描述
High Voltage Input Rectifier Diode, 65 A

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VS-65EPS..L-M3 数据手册

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VS-65EPS..L-M3, VS-65APS..L-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Input Rectifier Diode, 65 A  
FEATURES  
• Very low forward voltage drop  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Designed and qualified according to  
JEDEC® - JESD 47  
2
1
1
• Flexible solution for reliable AC power  
rectification  
2
3
3
TO-247AD 3L  
Base cathode  
2
TO-247AD 2L  
• High surge, low VF rugged blocking diode for DC charging  
stations  
• AEC-Q101 qualified P/N available (VS-65EPS12LHM3,  
VS-65APS12LHM3)  
Base cathode  
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
Cathode  
3
1
3
APPLICATIONS  
Anode  
Anode  
Anode  
• On-board and off-board EV / HEV battery chargers  
• Renewable energy inverters  
VS-65EPS..L-M3  
VS-65APS..L-M3  
• Input rectification for single and three phase bridge  
configurations  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
65 A  
VR  
VF at IF  
800 V, 1200 V  
1.12 V  
DESCRIPTION  
High voltage rectifiers optimized for very low forward  
voltage drop with moderate leakage.  
These devices are intended for use in main rectification  
(single or three phase bridge).  
IFSM  
1000 A  
150 °C  
TJ max.  
Package  
TO-247AD 2L, TO-247AD 3L  
Single  
Circuit configuration  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
65  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Sinusoidal waveform  
A
V
800, 1200  
1000  
A
30 A, TJ = 25 °C  
1.0  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-65EPS08L-M3  
VS-65APS08L-M3  
VS-65EPS12L-M3  
VS-65APS12L-M3  
800  
800  
900  
900  
1.3  
1.3  
1200  
1200  
1300  
1300  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 121 °C, 180° conduction half sine wave  
65  
840  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
1000  
3530  
5000  
50 000  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
A2√s  
Revision: 05-May-2023  
Document Number: 95998  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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