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Datasheet > VS-4EWH02FNTRL-M3
VS-4EWH02FNTRL-M3 PDF预览

VS-4EWH02FNTRL-M3

更新时间： 2024-11-01 20:05:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 169K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-4EWH02FNTRL-M3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：3 µA
最大反向恢复时间：0.027 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-4EWH02FNTRL-M3 数据手册

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VS-4EWH02FN-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Hyperfast Rectifier, 4 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
2, 4  
• 175 °C max. operating junction temperature  
• Output rectification freewheeling  
• Low forward voltage drop reduced Qrr and soft  
recovery  
1
N/C  
3
Anode  
• Low leakage current  
TO-252AA (D-PAK)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
State of the art hyperfast recovery rectifiers specifically  
designed with optimized performance of forward voltage  
drop and hyperfast recovery time.  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
4 A  
IF(AV)  
The planar structure and the platinum doped life time  
control guarantee the best overall performance, ruggedness  
and reliability characteristics.  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, DC/DC converters as well as  
freewheeling diode in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
VR  
200 V  
VF at IF  
0.71 V  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
23 ns  
175 °C  
Single die  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
200  
V
TC = 164 °C  
4
IFSM  
TJ = 25 °C  
80  
8
A
IFM  
TC = 164 °C, f = 20 kHz, d = 50 %  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 4 A  
200  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
0.87  
0.71  
-
0.95  
0.80  
3
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 4 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
2
20  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
17  
8
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
-
Revision: 04-Oct-16  
Document Number: 93258  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-4EWH02FNTRL-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-4EWH02FNTRR-M3 VISHAY

完全替代

 DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-4EWH02FN-M3 VISHAY

类似代替

 DIODE 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-4EWH02FNTR-M3 VISHAY

类似代替

 DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-4EWH02FNTR-M3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
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 		DIODE 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-4EWH02FNTRRHM3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 4 A FRED Pt
VS-4EWH02FNTRR-M3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS4TRF RALTRON

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 		VCXO OSCILLATOR, HCMOS, +3.3 VDC, 7x5mm
VS4TRF-1.000 RALTRON

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 		XO, Clock, 1MHz Min, 125MHz Max, 1MHz Nom
VS4TRF-125.000 RALTRON

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 		XO, Clock, 1MHz Min, 125MHz Max, 125MHz Nom
VS4TRF-16.384 RALTRON

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 		HCMOS Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 125MHz Max, 16.384MHz Nom, LEAD FREE, CERAMIC, SM
VS4TRF-19.440 RALTRON

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 		HCMOS Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 125MHz Max, 19.44MHz Nom
VS4TRF-27.000 RALTRON

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