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VS-25CTQ035-M3

更新时间： 2024-11-16 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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VS-25CTQ035-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.36
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.71 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：990 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向电流：1750 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VS-25CTQ035-M3 数据手册

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VS-25CTQ035-M3, VS-25CTQ040-M3, VS-25CTQ045-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
1
2
Anode  
Anode  
2
Common  
cathode  
1
3
3
TO-220AB 3L  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VR  
25 V, 40 V, 45 V  
0.50 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
The VS-25CTQ... center tap Schottky rectifier series has  
been optimized for very low forward voltage drop, with  
moderate leakage. The proprietary barrier technology allows  
for reliable operation up to 150 °C junction temperature.  
Typical applications are in switching power supplies,  
converters, freewheeling diodes, and reverse battery  
protection.  
I
RM typ.  
70 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
EAS  
20 mJ  
Package  
TO-220AB 3L  
Circuit configuration  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
990  
tp = 5 μs sine  
A
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
0.50  
V
TJ  
Range  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-25CTQ035-M3  
VS-25CTQ040-M3  
40  
VS-25CTQ045-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 102 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
30  
990  
250  
20  
A
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
Following any ratedload  
condition and with rated  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 3.0 A, L = 4.40 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current per leg  
3
Revision: 28-Feb-2023  
Document Number: 96274  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-25CTQ035-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-25CTQ035-N3 VISHAY

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 		High frequency operation
VS-25CTQ035PBF VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-25CTQ035S-M3 VISHAY

获取价格

 		Center tap configuration
VS-25CTQ035SPBF VISHAY

获取价格

 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-25CTQ035STRL-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-25CTQ035STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220, D2PAK-3
VS-25CTQ035STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-25CTQ035STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220, D2PAK-3
VS-25CTQ040-1-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VS-25CTQ040-1PBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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