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VS-20CTQ040PbF

更新时间： 2024-01-13 22:31:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 182K
描述
Low forward voltage drop

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VS-20CTQ040PbF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：1060 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

VS-20CTQ040PbF 数据手册

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VS-20CTQ...PbF Series, VS-20CTQ...-N3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 10 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
2
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
Anode  
Anode  
2
Common  
cathode  
1
3
TO-220AB  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
Package  
TO-220AB  
2 x 10 A  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
IF(AV)  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.57 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
The VS-20CTQ... center tap Schottky rectifier series  
has been optimized for low reverse leakage at high  
temperature. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
I
RM max.  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
13 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
1060  
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
A
VF  
0.57  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
20CTQ035PbF 20CTQ035-N3 20CTQ040PbF 20CTQ040-N3 20CTQ045PbF 20CTQ045-N3  
Maximum DC  
reverse voltage  
VR  
35  
35  
40  
40  
45  
45  
V
Maximum working  
peak reverse  
voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 145 °C, rectangular waveform  
20  
A
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
1060  
Following any rated load  
condition and with rated  
VRRM applied  
IFSM  
265  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2.0 A, L = 6.5 mH  
13  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2.0  
Revision: 25-Aug-11  
Document Number: 94162  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-20CTQ040PbF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-20CTQ040S-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-20CTQ040SPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-20CTQ040STRL-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-20CTQ040STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-20CTQ040STRR-M3 VISHAY

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VS-20CTQ045-N3 VISHAY

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