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VS-10ETF02PBF

更新时间： 2024-11-25 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 257K
描述
VS-10ETF0.PbF Series, VS-10ETF0.-M3 Series Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A

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VS-10ETF02PBF 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
Base Number Matches：1

VS-10ETF02PBF 数据手册

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VS-10ETF0...PbF Series, VS-10ETF0...-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Glass passivated pellet chip junction  
• 150 °C max operating junction temperature  
2
• Low forward voltage drop and short reverse  
recovery time  
2
• Designed  
JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization:  
and  
qualified  
according  
to  
3
1
TO-220AC  
1
3
for definitions of compliance please see  
Cathode  
Anode  
www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
These devices are intended for use in output rectification  
and freewheeling in inverters, choppers and converters as  
well as in input rectification where severe restrictions on  
conducted EMI should be met.  
Package  
TO-220AC  
IF(AV)  
10 A  
200 V, 400 V, 600 V  
1.2 V  
VR  
VF at IF  
IFSM  
DESCRIPTION  
130 A  
The VS-10ETF0... fast soft recovery rectifier series has been  
optimized for combined short reverse recovery time and low  
forward voltage drop.   
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
trr  
50 ns  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
Single die  
0.6  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
trr  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
200 to 600  
10  
UNITS  
V
Sinusoidal waveform  
A
130  
1 A, 100 A/µs  
50  
ns  
V
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.2  
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE  
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
VOLTAGE  
V
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETF02PbF, VS-10ETF02-M3  
VS-10ETF04PbF, VS-10ETF04-M3  
VS-10ETF06PbF, VS-10ETF06-M3  
200  
400  
600  
300  
500  
700  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
10  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 128 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
110  
130  
60  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
85  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
850  
A2s  
Revision: 11-Feb-16  
Document Number: 94090  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10ETF02S-M3 VISHAY

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 		DIODE SIGNAL DIODE, Signal Diode
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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETF04-M3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
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