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VP2206N2-G

更新时间： 2024-01-31 03:00:37

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美国微芯 - MICROCHIP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	824K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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VP2206N2-G 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.33	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	40 pF	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

VP2206N2-G 数据手册

VP2206

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

• Free from Secondary Breakdown

• Low Power Drive Requirement

• Ease of Paralleling

The VP2206 Enhancement-mode (normally-off)

transistor uses a vertical DMOS structure and a

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power

handling capabilities of bipolar transistors and the high

input impedance and positive temperature coefficient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and

thermally induced secondary breakdown.

• Low C_ISSand Fast Switching Speeds

• Excellent Thermal Stability

• Integral Source-to-Drain Diode

• High Input Impedance and High Gain

Applications

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited for a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance

and fast switching speeds are desired.

• Motor Controls

• Converters

• Amplifiers

• Switches

• Power Supply Circuits

• Drivers (Relays, Hammers, Solenoids, Lamps,

Memories, Displays, Bipolar Transistors, etc.)

Package Types

3-lead TO-92

3-lead TO-39

(Top view)

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

See Table 3-1 and Table 3-2 for pin information.

 2021 Microchip Technology Inc. and its subsidiaries

DS20006009A-page 1

12 3 4 5 6 7...14

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与VP2206N2-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP2206N3	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2206N3-G	MICROCHIP	获取价格	640mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
VP2206N3-G-P013	MICROCHIP	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VP2206N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P007	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2206N3P008	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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