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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP2206 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206 | MICROCHIP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| VP2206N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206N2 | MICROCHIP |
获取价格 |
750mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
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| VP2206N2-G | MICROCHIP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| VP2206N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206N3-G | MICROCHIP |
获取价格 |
640mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| VP2206N3-G-P013 | MICROCHIP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| VP2206N3P001 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| VP2206N3P003 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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