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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.65 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP2204N3P017 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| VP2204N3P018 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| VP2204ND | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| VP2206 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206 | MICROCHIP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| VP2206N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206N2 | MICROCHIP |
获取价格 |
750mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
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| VP2206N2-G | MICROCHIP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| VP2206N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2206N3-G | MICROCHIP |
获取价格 |
640mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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