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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP11856700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP11859500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP11859700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP1185C800J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP1197 | BOTHHAND |
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10/100 BASE-TX VOICE OVER IP MAGNETICS |
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| VP11A | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP11C | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP12 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP12 | LRC |
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HIGH-VOLTAGE DIODES |
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| VP12 | RECTRON |
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HIGH VOLTAGE ASSEMBLIED RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 5000 to 16000 Volts CURRENT 0.75 Amperes) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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