5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.73 | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 断开时间： | 10 µs | 接通时间： | 1.35 µs |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VNS3NV04D13TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
|
| VNS3NV04D | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNS3NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VNS3NV04D13TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
|
| VNS3NV04D-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04DP-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04DTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II全自动保护功率MOSFET |
|
| VNS3NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
5A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO8, LEAD FREE, SOP-8 |
|
| VNS7NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
