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VNS1NV04P-E

更新时间： 2024-02-13 20:03:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
28页	416K
描述
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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VNS1NV04P-E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	4.9 mm
功能数量：	1	端子数量：	8
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	1.7 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	表面贴装：	YES
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	5.5 µs
接通时间：	1 µs	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

VNS1NV04P-E 数据手册

VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E

OMNIFET II

fully autoprotected Power MOSFET

Features

Parameter

Symbol Value

Max on-state resistance (per ch.)

Current limitation (typ)

R_ON

I_LIMH

250 mΩ

1.7 A

Drain-source clamp voltage

V_CLAMP

40 V

SOT-223

SO-8

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

Description

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

The VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E are

monolithic devices designed in

STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology,

intended for replacement of standard Power

MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

Built in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chip in harsh

environments.

■ Direct access to the gate of the Power

MOSFET (analog driving)

■ Compatible with standard Power MOSFET

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

Table 1.

Device summary

Order codes

Package

Tube

Tape and reel

SOT-223 VNN1NV04P-E VNN1NV04PTR-E

SO-8

VNS1NV04P-E VNS1NV04PTR-E

October 2009

Doc ID 15586 Rev 2

1/28

www.st.com

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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