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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 输出电流流向： | SINK |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 断开时间： | 1 µs |
| 接通时间： | 0.2 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNS1NV04DP-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04P-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04TR | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS3NV04 | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNS3NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS3NV04D | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNS3NV04D13TR | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VNS3NV04D-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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