5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SO-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.9 mm |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 1.7 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 5.5 µs |
| 接通时间： | 1 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BTS3405GXUMA1 | INFINEON |
功能相似  |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 0.4A, PDSO8, GREEN, PLASTIC, SOP-8 |
|
| BTS3405G | INFINEON |
功能相似 |
Smart Low-Side Power Switch |
|
| BTS3410G | INFINEON |
功能相似 |
Smart Dual Lowside Power Switch |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNS1NV04D13TR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | SO |
|
| VNS1NV04D-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER M |
|
| VNS1NV04DP-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS1NV04P-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS1NV04TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VNS3NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VNS3NV04D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
