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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 驱动器位数： | 1 | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 4.9 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 输出电流流向： | SINK |
| 最大输出电流： | 0.5 A | 标称输出峰值电流： | 1.7 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | Peripheral Drivers | 表面贴装： | YES |
| 技术： | MOS | 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 5.5 µs | 接通时间： | 1 µs |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNS1NV04D | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNS1NV04D13TR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | SO |
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| VNS1NV04D-E | STMICROELECTRONICS |
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âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER M |
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| VNS1NV04DP-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04P-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS1NV04TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNS3NV04 | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNS3NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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