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VNQ660SP

更新时间： 2024-09-24 22:15:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 继电器固态继电器
页数 文件大小 规格书
16页 239K
描述
QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY

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VNQ660SP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：POWER, SO-10
针数：10Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：8.48内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：4接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G10JESD-609代码：e3
长度：9.4 mm湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：10
输出电流流向：SINK最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP10,.55FL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：6/24 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.75 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：36 V最小供电电压：6 V
标称供电电压：13 V表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：140 µs接通时间：70 µs
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

VNQ660SP 数据手册

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®
VNQ660SP  
QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY  
TYPE  
R
I
V
CC  
DS(on)  
OUT  
VNQ660SP  
50mΩ (*)  
6A  
36 V  
(*) Per each channel  
■OUTPUT CURRENT PER CHANNEL: 6A  
■ CMOS COMPATIBLE INPUTS  
■ OPEN LOAD DETECTION (OFF STATE)  
■ UNDERVOLTAGE & OVERVOLTAGE  
SHUT- DOWN  
10  
1
PowerSO-10™  
■ OVERVOLTAGE CLAMP  
■ THERMAL SHUT-DOWN  
ORDER CODES  
TUBE  
■ CURRENT LIMITATION  
PACKAGE  
T&R  
■ VERY LOW STAND-BY POWER DISSIPATION  
■ PROTECTION AGAINST:  
VNQ660SP  
VNQ660SP13TR  
PowerSO-10™  
LOSS OF GROUND & LOSS OF VCC  
■ REVERSE BATTERY PROTECTION (**)  
Technology, intended for driving resistive or  
inductive loads with one side connected to ground.  
This device has four independent channels. Built-  
in thermal shut down and output current limitation  
protect the chip from over temperature and short  
circuit.  
DESCRIPTION  
The VNQ660SP is a monolithic device made by  
using|  
STMicroelectronics  
VIPower  
M0-3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Supply voltage (continuous)  
Reverse supply voltage (continuous)  
41  
-0.3  
CC  
-V  
V
CC  
I
Output current (continuous), per each channel  
Reverse output current (continuous), per each channel  
Input current  
Internally limited  
-15  
A
OUT  
I
A
R
I
+/- 10  
mA  
mA  
mA  
IN  
I
Status current  
+/- 10  
STAT  
I
Ground current at T <25°C (continuous)  
-200  
GND  
C
Electrostatic Discharge (Human Body Model: R=1.5KΩ; C=100pF)  
- INPUT  
4000  
4000  
V
V
V
- STATUS  
- OUTPUT  
ESD  
5000  
V
- V  
5000  
V
CC  
P
Power dissipation at T =25°C  
113.6  
W
°C  
°C  
mJ  
tot  
C
T
Junction operating temperature  
Storage temperature  
-40 to 150  
-65 to 150  
150  
j
T
stg  
E
Non repetitive clamping energy at T =25°C  
C
C
(**) See application schematic at page 8  
July 2003  
1/16  
1234567...16

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VNQ660SP 替代型号

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