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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> VNQ60013TR
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VNQ60013TR

更新时间： 2024-11-12 22:15:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路继电器固态继电器光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 341K
描述
QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY

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VNQ60013TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP28,.4针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.26
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：4接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e4
长度：17.9 mm功能数量：2
端子数量：28输出电流流向：SINK
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：13 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
子类别：Peripheral Drivers最大供电电压：36 V
最小供电电压：5.5 V标称供电电压：13 V
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

VNQ60013TR 数据手册

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VNQ600  
®
P
QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY  
TYPE  
VNQ600  
R
(*)  
I
V
CC  
DS(on)  
lim  
35mΩ  
25A  
36 V  
(*) Per each channel  
■ DC SHORT CIRCUIT CURRENT: 25A  
■ CMOS COMPATIBLE INPUTS  
■ PROPORTIONAL LOAD CURRENT SENSE  
■ UNDERVOLTAGE & OVERVOLTAGE  
SHUT-DOWN  
SO-28 (DOUBLE ISLAND)  
ORDER CODES  
PACKAGE  
TUBE  
T&R  
SO-28  
VNQ600  
VNQ60013TR  
■ OVERVOLTAGE CLAMP  
■ THERMAL SHUT-DOWN  
■ CURRENT LIMITATION  
package. The VND600 is a monolithic device  
designed in| STMicroelectronics VIPower M0-3  
Technology. The VNQ600 is intended for driving  
any type of multiple loads with one side connected  
to ground. This device has four independent  
channels and four analog sense outputs which  
deliver currents proportional to the outputs  
currents. Active current limitation combined with  
thermal shut-down and automatic restart protect  
the device against overload. Device automatically  
turns off in case of ground pin disconnection.  
■ VERY LOW STAND-BY POWER DISSIPATION  
■ PROTECTION AGAINST:  
LOSS OF GROUND & LOSS OF VCC  
■ REVERSE BATTERY PROTECTION (**)  
DESCRIPTION  
The VNQ600 is  
a quad HSD formed by  
assembling two VND600 chips in the same SO-28  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Symbol  
Parameter  
Value  
41  
Unit  
V
V
Supply voltage (continuous)  
CC  
-V  
Reverse supply voltage (continuous)  
Output current (continuous), for each channel  
Reverse output current (continuous), for each channel  
Input current  
-0.3  
15  
V
CC  
I
A
OUT  
I
-15  
A
R
I
+/- 10  
-3  
mA  
V
IN  
V
Current sense maximum voltage  
CSENSE  
+15  
-200  
V
I
Ground current at T  
< 25°C (continuous)  
mA  
GND  
pins  
Electrostatic Discharge (Human Body Model: R=1.5KΩ; C=100pF)  
- INPUT  
4000  
2000  
5000  
5000  
V
V
V
V
V
- CURRENT SENSE  
- OUTPUT  
ESD  
- V  
CC  
Maximum Switching Energy  
(L=0.11mH; R =0Ω; V =13.5V; T  
E
126  
mJ  
MAX  
=150ºC; I =40A)  
L
bat  
jstart  
L
P
Power dissipation (per island) at T  
Junction operating temperature  
Storage temperature  
=25°C  
lead  
6.25  
W
°C  
°C  
tot  
T
Internally Limited  
-55 to 150  
j
T
stg  
(**) See application schematic at page 9.  
June 2003  
1/18  
1234567...18

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VNQ60013TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VNQ600 STMICROELECTRONICS

完全替代

 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
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