Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> VNN3NV0413TR

VNN3NV0413TR

更新时间： 2024-09-24 05:55:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
26页	490K
描述
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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VNN3NV0413TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	7.11
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.9 mm
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	10 µs
接通时间：	1.35 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

VNN3NV0413TR 数据手册

VNN3NV04, VNS3NV04

VND3NV04, VND3NV04-1

OMNIFET II

fully autoprotected Power MOSFET

Features

Type

R_DS(on)

I_lim

V_clamp

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

SOT-223

SO-8

120 mΩ

3.5 A

40 V

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

TO251 (IPAK)

TO252 (DPAK)

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

Description

The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04

VND3NV04-1, are monolithic devices designed in

STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology,

intended for replacement of standard Power

MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

Built in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chip in harsh

environments.

■ Direct access to the gate of the Power

MOSFET (analog driving)

■ Compatible with standard Power MOSFET in

compliance with the 2002/95/EC European

Directive

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

Table 1.

Package

Device summary

Tube

Order codes

Tube (lead-free)

Tape and reel

Tape and reel (lead-free)

SOT-223

SO-8

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

VNN3NV0413TR

VNS3NV0413TR

VND3NV0413TR

TO-252

TO-251

VND3NV04-E

VND3NV04-1-E

VND3NV04TR-E

April 2009

Doc ID 7382 Rev 2

1/26

www.st.com

12 3 4 5 6 7...26

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VNN3NV0413TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VNN3NV04PTR-E	STMICROELECTRONICS	类似代替	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
NCV8402ASTT3G	ONSEMI	功能相似	Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8402ASTT1G	ONSEMI	功能相似	Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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VNN7NV04	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
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