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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.39 | Is Samacsys： | N |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE | 驱动器位数： | 1 |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 输出电流流向： | SOURCE |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | Peripheral Drivers | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 3.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNL5160S5TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
单通道低侧智能电源开关 |
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| VNL5300S5-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
具有数字状态的单通道LSD |
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| VNLD5090-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
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| VNLD5160-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
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| VNLD5300-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
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| VNN1NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNN1NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNN1NV04P-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNN1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNN1NV04TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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